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    • 超纯本征砷化镓材料的m-i-n二极管太赫兹辐射源及制作方法

    2015-07-04
    专利拥有者:朱亦鸣、李州、杜少卿
    专利名称:超纯本征砷化镓材料的m-i-n二极管太赫兹辐射源及制作方法
    专利编号:201110428386.2